تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Single crystalline quasi aligned one dimensional P-type Cu2O nanowire for improving Schottky barrier characteristics
Single crystalline quasi aligned one dimensional P-type Cu2O nanowire for improving Schottky barrier characteristics
 
الموضوع : كيمياء 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Schottky diodes usually exhibit non-ideal characteristics. The departure from an ideal junction may result from a thick interfacial layer between the semiconductor and metal, or the presence of series resistance from the bulk semiconductor below the depletion region and back side Ohmic contact resistance. In the present work an attempt was made to avoid most of these factors in order to obtain Schottky diode with better characteristics. For such purpose, single crystalline vertically aligned P-type Cu2O nanowires are deposited on a silicon substrate using solid-vapor technique, without using a catalyst or pre-deposited buffer layers. The structure and morphology of the as-synthesized nanowires are characterized using X-ray diffraction, scanning and transmission electron microscopy. The results showed that the use of CuCl2 is critical for the formation of Cu2O nanowires. The (I-V) and (C-V) characteristic curves of Au/p-Cu2O Schottky diode were measured. The results showed that the ideality factor, barrier height and donor state density states equal 1.05, 1.32 eV and 3.65 × 1018 cm-3, respectively. 
ردمد : 0167-577X 
اسم الدورية : Materials Letters 
المجلد : 65 
العدد : 12 
سنة النشر : 1432 هـ
2011 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Wednesday, February 8, 2012 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
محمد حافظHafez, Mohammad باحثدكتوراه 
فهد مسعود المرزوقيAl-Marzouki, Fahad Mباحثدكتوراهfmarzouki1@kau.edu.sa
وليد السيد محمودMahmoud, Waleed Eباحثدكتوراهw_e_mahmoud@yahoo.com

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 32221.pdf pdfAbstract

الرجوع إلى صفحة الأبحاث